Taiwan Semiconductor Corporation - 2A07GHB0G

KEY Part #: K6434247

2A07GHB0G ფასები (აშშ დოლარი) [1948362ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.01898

Ნაწილი ნომერი:
2A07GHB0G
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 2A DO204AC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation 2A07GHB0G electronic components. 2A07GHB0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2A07GHB0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2A07GHB0G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 2A07GHB0G
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 2A DO204AC
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 2A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AC, DO-15, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-204AC (DO-15)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-HFA04SD60SHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt

  • VS-HFA08SD60SL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWS16STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-HFA08SD60SR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWF04STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS12STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3