NXP USA Inc. - BAP51-02,115

KEY Part #: K6464519

BAP51-02,115 ფასები (აშშ დოლარი) [903588ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04093
  • 3,000 pcs$0.03164
  • 6,000 pcs$0.02848
  • 15,000 pcs$0.02531
  • 30,000 pcs$0.02373
  • 75,000 pcs$0.02104

Ნაწილი ნომერი:
BAP51-02,115
მწარმოებელი:
NXP USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
RF DIODE PIN 60V 715MW SOD523. PIN Diodes PIN GP 60V 50MA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in NXP USA Inc. BAP51-02,115 electronic components. BAP51-02,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAP51-02,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAP51-02,115 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BAP51-02,115
მწარმოებელი : NXP USA Inc.
აღწერა : RF DIODE PIN 60V 715MW SOD523
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : PIN - Single
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 60V
მიმდინარე - მაქს : 50mA
Capacitance @ Vr, F : 0.35pF @ 5V, 1MHz
წინააღმდეგობა @ თუ, ვ : 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 715mW
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 150°C (TJ)
პაკეტი / საქმე : SC-79, SOD-523
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOD-523

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DMV1500SDFD

    STMicroelectronics

    RF DIODE STANDAR 1500V TO220FPAB.

  • BAP70AM,115

    NXP USA Inc.

    RF DIODE PIN 50V 300MW 6TSSOP. PIN Diodes QUAD AM PIN DIODE

  • HSMS-280P-TR1G

    Broadcom Limited

    RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT363.

  • MA4E2054B1-287T

    M/A-Com Technology Solutions

    RF DIODE SCHOTTKY 3V SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers Brkdn V 3.0Volt min. 30pF max.-65 to 125C

  • BAR6304E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    RF DIODE PIN 50V 250MW SOT23-3.

  • MA4E2200B1-287T

    M/A-Com Technology Solutions

    RF DIODE SCHOTTKY 1.5V SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers Brkdn V 1.5Volt min. .25pF max-65 to 125C