G3SBA60-M3/45 ფასები (აშშ დოლარი) [131952ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.28031
- 1,600 pcs$0.26696
- Ნაწილი ნომერი:
- G3SBA60-M3/45
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU. Bridge Rectifiers 4A,600V,GPP,INLINE BRIDGE
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ხიდის გასწორება and Thististors - DIACs, SIDACs ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division G3SBA60-M3/45 electronic components. G3SBA60-M3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for G3SBA60-M3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
G3SBA60-M3/45 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
G3SBA60-M3/45
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Single Phase
ტექნოლოგია :
Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
2.3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1V @ 2A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 600V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
4-SIP, GBU
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
GBU
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
-
VS-GBPC3502W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 200 Volt 35 Amp
-
VS-GBPC2506W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 600V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 600 Volt 25 Amp
-
VS-GBPC3508W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 800 Volt 35 Amp
-
VS-GBPC2508W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 800 Volt 25 Amp
ცხელი ნაწილები
- 683-3
- VUB116-16NO1
- VUO70-14NO7
- VUO70-12NO7
- GBJ602
- KBL604G T0G
- GBU8KL-5301M3/45
- GBU4JL-6088E3/45
- GBL08L-5701E3/45
- GBL06L-6177E3/51
- G3SBA60L-5705M3/51
- G3SBA60L-5703E3/51
- KBP151G C2
- KBP101G C2G
- PB34-BP
- 2KBP02M-E4/72
- DF160R12W2H3FB11BOMA1
- CBR6-020
- MT800
- KBPM308G
- MB10M-G
- VSIB2540-E3/45
- KBP04M-E4/45
- KBP201G-BP
- PBPC801
- PBPC605
- DF1510M
- VBO55-16NO7
- 2KBP08M
- 2KBP06M
- RS402LDI-F
- MB106-BP
- MB1005-BP
- MB154-F
- BW511FS-YE
- DF08M/45
- 91MT160KB
- 53MT160KB
- GBJ604
- GBJ1001
选择你的位置