BYG22A-M3/TR ფასები (აშშ დოლარი) [560847ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.06959
- 9,000 pcs$0.06925
- Ნაწილი ნომერი:
- BYG22A-M3/TR
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,50V,25nS UF Fast Avalanche,SMD
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტირისტორები - TRIACs ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG22A-M3/TR electronic components. BYG22A-M3/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG22A-M3/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG22A-M3/TR პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
BYG22A-M3/TR
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Avalanche
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
2A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 2A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
25ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
1µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-214AC, SMA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-214AC (SMA)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
-
SD103AW-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO
-
SD101AW-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM
ცხელი ნაწილები
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18
选择你的位置