Ampleon USA Inc. - BLA8G1011L-300U

KEY Part #: K6465776

BLA8G1011L-300U ფასები (აშშ დოლარი) [278ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$167.27089
  • 20 pcs$166.43869

Ნაწილი ნომერი:
BLA8G1011L-300U
მწარმოებელი:
Ampleon USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Ampleon USA Inc. BLA8G1011L-300U electronic components. BLA8G1011L-300U can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLA8G1011L-300U, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BLA8G1011L-300U პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BLA8G1011L-300U
მწარმოებელი : Ampleon USA Inc.
აღწერა : RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტრანზისტორი ტიპი : LDMOS
სიხშირე : 1.06GHz
მოიპოვე : 16.5dB
ძაბვა - ტესტი : 32V
ამჟამინდელი რეიტინგი : -
ხმაურის ფიგურა : -
მიმდინარე - ტესტი : 150mA
Ძალის გამოსავალი : 300W
ძაბვა - შეფასებული : 65V
პაკეტი / საქმე : SOT-502A
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : LDMOST
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.

  • AFT27S006NT1

    NXP USA Inc.

    FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W.