Ნაწილი ნომერი :
RN1910FE(T5L,F,T)
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
ტრანზისტორი ტიპი :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) :
100mA
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) :
50V
რეზისტორული ბაზა (R1) :
4.7 kOhms
რეზისტორული - ემიტერის ბაზა (R2) :
-
DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce სატურაცია (მაქს) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) :
100nA (ICBO)
სიხშირე - გადასვლა :
250MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
SOT-563, SOT-666
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
ES6