IXYS - IXD611S1T/R

KEY Part #: K1221597

[8527ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IXD611S1T/R
    მწარმოებელი:
    IXYS
    Დეტალური აღწერა:
    IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - სიგნალის ტერმინატორები, PMIC - კარიბჭის მძღოლები, ჩაშენებული - DSP (ციფრული სიგნალის პროცესორები), ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები - სპეციალურ, PMIC - AC DC გადამყვანი, ოფლაინ გადამრთველები, ჩაშენებული - სისტემა ჩიპზე (SoC), ინტერფეისი - სპეციალიზირებული and ლოგიკა - პარიტეტის გენერატორები და ქვები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in IXYS IXD611S1T/R electronic components. IXD611S1T/R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXD611S1T/R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXD611S1T/R პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IXD611S1T/R
    მწარმოებელი : IXYS
    აღწერა : IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    ორიენტირებული კონფიგურაცია : Half-Bridge
    არხის ტიპი : Independent
    მძღოლების რაოდენობა : 2
    კარიბჭის ტიპი : IGBT, N-Channel MOSFET
    ძაბვა - მიწოდება : 10V ~ 35V
    ლოგიკის ძაბვა - VIL, VIH : 2.4V, 2.7V
    აქტუალური - პიკის გამომავალი (წყარო, ჩაძირვა) : 600mA, 600mA
    შეყვანის ტიპი : Non-Inverting
    მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) : 600V
    აწევა / შემოდგომის დრო (ტიპი) : 28ns, 18ns
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SOIC

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ