თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. 1N5621US

Microsemi Corporation - 1N5621US

KEY Part #: K6426900

1N5621US ფასები (აშშ დოლარი) [6962ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$6.24560
  • 100 pcs$6.21453
Ნაწილი ნომერი:
1N5621US
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 800V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5621US electronic components. 1N5621US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5621US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5621US პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N5621US
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.6V @ 3A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 300ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500nA @ 800V
Capacitance @ Vr, F : 20pF @ 12V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, A
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5A
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • V20PWM45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • VF20120SG-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20A 120V ITO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20A,120V,TRENCH SKY RECT.

  • VFT1080S-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 10A 80V ITO-220AB. Rectifiers 10A,80V,TRENCH SKY RECT.

  • S2G-M3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GPP 1.5A 400V DO-214AA. Rectifiers 1.5A, 400V, GPP, VGSC-STD, SM, RECT

  • SB2K-M3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA. Rectifiers 2A, 800V, GPP, STD, SM, RECT

  • SS2H9-E3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 90V 2A DO214AA. Schottky Diodes & Rectifiers 90 Volt 2.0 Amp 75 Amp IFSM

ცხელი ნაწილები