თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. ინტეგრირებული სქემები (ICS)
  4. მეხსიერება
  5. AS4C32M16MSA-6BIN

Alliance Memory, Inc. - AS4C32M16MSA-6BIN

KEY Part #: K937510

AS4C32M16MSA-6BIN ფასები (აშშ დოლარი) [17157ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.67064
Ნაწილი ნომერი:
AS4C32M16MSA-6BIN
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA. DRAM 512M 166MHz 32Mx16 Mobile LP SDRAM IT
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - ხმის ჩანაწერი და დაკვრა, საათი / დრო - საათის გენერატორი, PLL, სიხშირის სინ, ინტერფეისი - შიფრატორები, დეკოდიერები, გადამყვანი, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აუდიო, PMIC - ენერგეტიკის მენეჯმენტი - სპეციალიზირებული, ჩაშენებული - PLD (პროგრამირებადი ლოგიკური მოწყობილ, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ and PMIC - ბატარეის დამტენები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MSA-6BIN electronic components. AS4C32M16MSA-6BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C32M16MSA-6BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C32M16MSA-6BIN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C32M16MSA-6BIN
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile SDRAM
მეხსიერების ზომა : 512Mb (32M x 16)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 5.5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 54-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 54-FBGA (8x8)

Უახლესი ცნობები

Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • AT28BV256-20SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

ცხელი ნაწილები