მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3PB
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
26A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 13A, 10V
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
87nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2250pF @ 30V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.5W (Ta), 220W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-3PB
პაკეტი / საქმე :
TO-3P-3, SC-65-3