BU25H08-M3/P ფასები (აშშ დოლარი) [32472ცალი საფონდო]
- 1 pcs$1.20752
- 10 pcs$1.03062
- 25 pcs$0.97217
- 100 pcs$0.82821
- 250 pcs$0.77767
- 500 pcs$0.68046
- 1,000 pcs$0.56381
- 2,500 pcs$0.52492
- 5,000 pcs$0.50548
- Ნაწილი ნომერი:
- BU25H08-M3/P
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - JFET and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BU25H08-M3/P electronic components. BU25H08-M3/P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BU25H08-M3/P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BU25H08-M3/P პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
BU25H08-M3/P
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU
სერიები :
isoCink+™
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Single Phase
ტექნოლოგია :
Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
3.5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.05V @ 12.5A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 600V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
4-SIP, BU
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
isoCINK+™ BU
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
GBPC2502W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 200 Volt
-
GBPC2510W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt
-
VS-GBPC3512W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp
-
TSS4B03G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect
-
TS6KL60 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJL. Bridge Rectifiers 6A 600V Standard Bridge Rectif
-
TS10KL80 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBJL. Bridge Rectifiers 10A 800V Standard Bridge Rectif
ცხელი ნაწილები
- 678-4
- VUB72-16NOXT
- VS-70MT160P-P
- KBP08M-BP
- KBU806G T0G
- GBU8J-5410M3/51
- GBU6GL-6130E3/51
- GBU6DL-7005M3/45
- MMB8G-G
- PB38-BP
- KBP08M-6E4/51
- 3N248-E4/72
- TB10S-G
- DDB2U50N08W1RB23BOMA1
- CBR6-010
- CBR10F-J060
- CBR10A-J060
- 2KBP10M-M4/51
- CD2320-B1800
- MSD52-18
- MSDM100-16
- T483B
- VSIB1540-E3/45
- GBU6JL-5305E3/45
- VSIB10A60-E3/45
- CBR6-080
- GBPC1005-E4/51
- G3SBA60L-E3/51
- PBPC1002
- 3KBP08M-E4/51
- MSD160-16
- 2KBP10M
- RS405LDI-F
- MB156-F
- 90MT140KB
- 130MT80KB
- GBJ2006
- GBJ20005
- MB2505W
- DLA100B1200LB-TRR
选择你的位置