Ampleon USA Inc. - BLF7G22LS-200,112

KEY Part #: K6465798

BLF7G22LS-200,112 ფასები (აშშ დოლარი) [1011ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$46.21712
  • 60 pcs$45.98719

Ნაწილი ნომერი:
BLF7G22LS-200,112
მწარმოებელი:
Ampleon USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Ampleon USA Inc. BLF7G22LS-200,112 electronic components. BLF7G22LS-200,112 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLF7G22LS-200,112, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BLF7G22LS-200,112 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BLF7G22LS-200,112
მწარმოებელი : Ampleon USA Inc.
აღწერა : RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტრანზისტორი ტიპი : LDMOS
სიხშირე : 2.11GHz ~ 2.17GHz
მოიპოვე : 18.5dB
ძაბვა - ტესტი : 28V
ამჟამინდელი რეიტინგი : -
ხმაურის ფიგურა : -
მიმდინარე - ტესტი : 1.62A
Ძალის გამოსავალი : 55W
ძაბვა - შეფასებული : 65V
პაკეტი / საქმე : SOT-502B
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT502B
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • MMBF5484

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.