Samsung Electro-Mechanics - CIGW252010GL3R3MNE

KEY Part #: K5002667

CIGW252010GL3R3MNE ფასები (აშშ დოლარი) [12684ცალი საფონდო]

  • 3,000 pcs$0.02554
  • 6,000 pcs$0.02413
  • 15,000 pcs$0.02271
  • 30,000 pcs$0.02199
  • 75,000 pcs$0.02129
  • 150,000 pcs$0.02058

Ნაწილი ნომერი:
CIGW252010GL3R3MNE
მწარმოებელი:
Samsung Electro-Mechanics
Დეტალური აღწერა:
FIXED IND 3.3UH 1.8A 112MOHM.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ფიქსირებული ინდუქტორები, დაგვიანებული ხაზები, რეგულირებადი ინდუქტორები, უკაბელო დატენვის კოჭები and მასივები, სიგნალის ტრანსფორმატორები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Samsung Electro-Mechanics CIGW252010GL3R3MNE electronic components. CIGW252010GL3R3MNE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CIGW252010GL3R3MNE, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CIGW252010GL3R3MNE პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : CIGW252010GL3R3MNE
მწარმოებელი : Samsung Electro-Mechanics
აღწერა : FIXED IND 3.3UH 1.8A 112MOHM
სერიები : CIGW
ნაწილის სტატუსი : Active
ტიპი : Wirewound
მასალა - ბირთვი : Metal Composite
ინდუქცია : 3.3µH
ტოლერანტობა : ±20%
ამჟამინდელი რეიტინგი : 1.8A
აქტუალური - გაჯერება : 2.1A
ფარი : Unshielded
DC წინააღმდეგობა (DCR) : 112 mOhm Max
Q @ Freq : -
სიხშირე - თვით რეზონანსი : -
რეიტინგები : -
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C
ინდუქციის სიხშირე - ტესტი : 1MHz
მახასიათებლები : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 1008 (2520 Metric)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 1008 (2520 Metric)
ზომა / განზომილება : 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
სიმაღლე - მჯდომარე (მაქსიმუმი) : 0.039" (1.00mm)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ