IXYS - IXFN210N20P

KEY Part #: K6397361

IXFN210N20P ფასები (აშშ დოლარი) [2686ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$16.92898
  • 10 pcs$15.65954
  • 25 pcs$14.38973
  • 100 pcs$13.37390
  • 250 pcs$12.27352

Ნაწილი ნომერი:
IXFN210N20P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFN210N20P electronic components. IXFN210N20P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN210N20P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN210N20P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFN210N20P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 188A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 255nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 18600pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1070W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227B
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FCD7N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD900N60Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3.

  • FCD380N60E

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK.

  • FCD1300N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 4A TO252.

  • FCD3400N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.

  • FCD260N65S3

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 260MOHM TO252.