Ნაწილი ნომერი :
NCD5701CDR2G
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
ორიენტირებული კონფიგურაცია :
High-Side or Low-Side
ლოგიკის ძაბვა - VIL, VIH :
-
აქტუალური - პიკის გამომავალი (წყარო, ჩაძირვა) :
7.8A, 6.8A
მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) :
-
აწევა / შემოდგომის დრო (ტიპი) :
18ns, 19ns
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SOIC