Ნაწილი ნომერი :
RN1701JE(TE85L,F)
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
ტრანზისტორი ტიპი :
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) :
100mA
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) :
50V
რეზისტორული ბაზა (R1) :
4.7 kOhms
რეზისტორული - ემიტერის ბაზა (R2) :
4.7 kOhms
DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce :
30 @ 10mA, 5V
Vce სატურაცია (მაქს) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) :
100nA (ICBO)
სიხშირე - გადასვლა :
250MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
ESV