Infineon Technologies - BAT68E6327HTSA1

KEY Part #: K6464467

BAT68E6327HTSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [987763ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03745

Ნაწილი ნომერი:
BAT68E6327HTSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Diodes 8V 130mA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies BAT68E6327HTSA1 electronic components. BAT68E6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT68E6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAT68E6327HTSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BAT68E6327HTSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky - Single
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 8V
მიმდინარე - მაქს : 130mA
Capacitance @ Vr, F : 1pF @ 0V, 1MHz
წინააღმდეგობა @ თუ, ვ : 10 Ohm @ 5mA, 10kHz
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 150mW
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ