Infineon Technologies - T660N22TOFPRXOSA1

KEY Part #: K6536704

[13947ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    T660N22TOFPRXOSA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE BG-T5726K-1.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and Thististors - DIACs, SIDACs ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies T660N22TOFPRXOSA1 electronic components. T660N22TOFPRXOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for T660N22TOFPRXOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    T660N22TOFPRXOSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : T660N22TOFPRXOSA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : DIODE BG-T5726K-1
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Last Time Buy
    სტრუქტურა : Single
    SCR– ების რაოდენობა, დიოდები : 1 SCR
    ძაბვა - გამორთული სახელმწიფო : 2.2kV
    მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური) : 660A
    მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური) : 1500A
    ვოლტაჟი - Gate Trigger (Vgt) (Max) : 2.2V
    მიმდინარე - Gate Trigger (Igt) (მაქსიმალური) : 250mA
    ამჟამინდელი - 50 – დან 60 ჰერცირზე მეტი სიჩქარე (მისი სიჩქარე) : 13000A @ 50Hz
    მიმდინარე - გამართავს (Ih) (მაქსიმალური) : 300mA
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : TO-200AB, A-PUK

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ