CUS520,H3F ფასები (აშშ დოლარი) [2710765ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.01440
- 3,000 pcs$0.01433
- 6,000 pcs$0.01246
- 15,000 pcs$0.01059
- 30,000 pcs$0.00997
- 75,000 pcs$0.00935
- 150,000 pcs$0.00831
- Ნაწილი ნომერი:
- CUS520,H3F
- მწარმოებელი:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE SCHOTTKY 30V 200MA. Schottky Diodes & Rectifiers Single Low Leakge
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - სკკ and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CUS520,H3F electronic components. CUS520,H3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CUS520,H3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CUS520,H3F პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
CUS520,H3F
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
30V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
200mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
280mV @ 10mA
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 30V
Capacitance @ Vr, F :
17pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
SC-76, SOD-323
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
USC
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
125°C (Max)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
BYM07-50-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34C-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns
-
EGL34F-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns
ცხელი ნაწილები
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54
选择你的位置