ES1DL RTG ფასები (აშშ დოლარი) [1375314ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.02689
- Ნაწილი ნომერი:
- ES1DL RTG
- მწარმოებელი:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დენის მართვის მოდული ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES1DL RTG electronic components. ES1DL RTG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1DL RTG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES1DL RTG პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
ES1DL RTG
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
950mV @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F :
10pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-219AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Sub SMA
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
NSB8MT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3
-
MBRB10H100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM
-
NSB8AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
MBRB1635-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 35 Volt 16A Single 150 Amp IFSM
ცხელი ნაწილები
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54
选择你的位置