თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - ხიდის გასწორება
  5. APTDF200H120G

Microsemi Corporation - APTDF200H120G

KEY Part #: K6539865

APTDF200H120G ფასები (აშშ დოლარი) [1333ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$32.49151
  • 100 pcs$32.38495
Ნაწილი ნომერი:
APTDF200H120G
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 235A SP6.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTDF200H120G electronic components. APTDF200H120G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTDF200H120G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTDF200H120G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTDF200H120G
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : BRIDGE RECT 1P 1.2KV 235A SP6
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 1.2kV
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 235A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 3V @ 200A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 150µA @ 1200V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SP6
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP6

Უახლესი ცნობები

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GBPC1208W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 800 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1501W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 100V 15A GBPC-W. Bridge Rectifiers 100 Volt 15 Amp Glass Passivated

  • GBPC1210W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1202W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 200 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1204W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 400 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1510W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 Volt 15 Amp Glass Passivated

ცხელი ნაწილები