Ნაწილი ნომერი :
IR2117SPBF
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
IC MOSFET DRIVER 1CHAN 8SOIC
ორიენტირებული კონფიგურაცია :
High-Side
კარიბჭის ტიპი :
IGBT, N-Channel MOSFET
ძაბვა - მიწოდება :
10V ~ 20V
ლოგიკის ძაბვა - VIL, VIH :
6V, 9.5V
აქტუალური - პიკის გამომავალი (წყარო, ჩაძირვა) :
250mA, 500mA
შეყვანის ტიპი :
Non-Inverting
მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) :
600V
აწევა / შემოდგომის დრო (ტიპი) :
80ns, 40ns
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SOIC