Microsemi Corporation - JANTXV1N6630US

KEY Part #: K6446828

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორები - JFET ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6630US electronic components. JANTXV1N6630US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6630US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N6630US

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

სერიები : Military, MIL-PRF-19500/590

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდის ტიპი : Standard

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1000V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.4A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.4V @ 1.4A

სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 1000V

Capacitance @ Vr, F : -

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, E

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5B

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

SRP600J-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 6A P600.
GPP60G-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 6A P600.
GPP60B-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A P600.
BYM07-200HE3/83

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.
SBLB1030HE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB.
SBLB10L25HE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB.

ცხელი ნაწილები