IXYS - IXTT75N10

KEY Part #: K6394063

IXTT75N10 ფასები (აშშ დოლარი) [3772ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$13.27193
  • 30 pcs$13.20590

Ნაწილი ნომერი:
IXTT75N10
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 75A TO-268.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTT75N10 electronic components. IXTT75N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT75N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT75N10 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTT75N10
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 75A TO-268
სერიები : MegaMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 75A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4500pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 300W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-268
პაკეტი / საქმე : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ