Infineon Technologies - FS200T12A1T4BOSA1

KEY Part #: K6532619

[1106ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    FS200T12A1T4BOSA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MODULE IGBT HYBRID PK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - სკკ and დენის მართვის მოდული ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies FS200T12A1T4BOSA1 electronic components. FS200T12A1T4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS200T12A1T4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FS200T12A1T4BOSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : FS200T12A1T4BOSA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MODULE IGBT HYBRID PK
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    IGBT ტიპი : -
    კონფიგურაცია : -
    ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : -
    მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : -
    ძალა - მაქსიმუმი : -
    Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : -
    მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : -
    შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : -
    შეყვანა : -
    NTC თერმოსტორი : -
    ოპერაციული ტემპერატურა : -
    სამონტაჟო ტიპი : -
    პაკეტი / საქმე : -
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VS-ETF150Y65N

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

    • CPV362M4F

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

    • CPV363M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

    • CPV362M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

    • CPV362M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

    • CPV363M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.