Vishay Semiconductor Diodes Division - GL34GHE3/83

KEY Part #: K6457667

GL34GHE3/83 ფასები (აშშ დოლარი) [610930ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.06054
  • 9,000 pcs$0.05536

Ნაწილი ნომერი:
GL34GHE3/83
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL34GHE3/83 electronic components. GL34GHE3/83 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL34GHE3/83, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL34GHE3/83 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GL34GHE3/83
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
სერიები : SUPERECTIFIER®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 400V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 500mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.2V @ 500mA
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 1.5µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-213AA (Glass)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-213AA (GL34)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • GL41YHE3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34KHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM