ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R83200D-5TL

KEY Part #: K938343

IS43R83200D-5TL ფასები (აშშ დოლარი) [20152ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.72053
  • 216 pcs$2.70700

Ნაწილი ნომერი:
IS43R83200D-5TL
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 256M (32Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ჩაშენებული - CPLDs (რთული პროგრამირებადი ლოგიკური , ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - სპეციალური დანიშნულებ, ლოგიკა - მრიცხველები, გამყოფი, ლოგიკა - ლატჩები, ლოგიკა - ბუფერები, მძღოლები, მიმღები, გადამცემები, ლოგიკა - მულტივიბრატორი, PMIC - ცხელი სვოპ კონტროლერები and ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200D-5TL electronic components. IS43R83200D-5TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R83200D-5TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R83200D-5TL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43R83200D-5TL
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR
მეხსიერების ზომა : 256Mb (32M x 8)
საათის სიხშირე : 200MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 700ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 66-TSOP II

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • 71V25761S166PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W9812G2KB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,