Infineon Technologies - FF100R12RT4HOSA1

KEY Part #: K6532652

FF100R12RT4HOSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [1783ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$24.27738

Ნაწილი ნომერი:
FF100R12RT4HOSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
IGBT MODULE VCES 1700V 1000A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დენის მართვის მოდული and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies FF100R12RT4HOSA1 electronic components. FF100R12RT4HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF100R12RT4HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF100R12RT4HOSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FF100R12RT4HOSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : Trench Field Stop
კონფიგურაცია : 2 Independent
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 100A
ძალა - მაქსიმუმი : 555W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 100A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 1mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 630nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.