Microsemi Corporation - JAN1N5419

KEY Part #: K6428709

JAN1N5419 ფასები (აშშ დოლარი) [6604ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.34128
  • 10 pcs$4.85740
  • 25 pcs$4.49302
  • 100 pcs$4.12879
  • 250 pcs$3.76448
  • 500 pcs$3.52162

Ნაწილი ნომერი:
JAN1N5419
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A FAST 500V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5419 electronic components. JAN1N5419 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5419, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5419 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JAN1N5419
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/411
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 500V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.5V @ 9A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 250ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 500V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : B, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CDBV140-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=40V IO=1A

  • CDBV120-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=20V IO=1A

  • CDSV-19-G

    Comchip Technology

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 200mA 200mW

  • VS-3EJH02-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rectfr

  • VS-2EJH02HM3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101

  • VS-2EJH02-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 200V Fred Pt Rectfr