IXYS - IXFA270N06T3

KEY Part #: K6398084

IXFA270N06T3 ფასები (აშშ დოლარი) [21399ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.10214
  • 10 pcs$1.87870
  • 100 pcs$1.54038
  • 500 pcs$1.24731
  • 1,000 pcs$0.99800

Ნაწილი ნომერი:
IXFA270N06T3
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFA270N06T3 electronic components. IXFA270N06T3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFA270N06T3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA270N06T3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFA270N06T3
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
სერიები : HiperFET™, TrenchT3™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 270A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 12600pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 480W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263AA
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • R8010ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220.

  • TK9A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.

  • RCX080N25

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 8A TO220.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.