Rohm Semiconductor - RBR3LAM40BTR

KEY Part #: K6457915

RBR3LAM40BTR ფასები (აშშ დოლარი) [748709ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.05461
  • 3,000 pcs$0.05434
  • 6,000 pcs$0.05105
  • 15,000 pcs$0.04775
  • 30,000 pcs$0.04380

Ნაწილი ნომერი:
RBR3LAM40BTR
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDTM. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Vr 3A Io Schottky Br Diode
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor RBR3LAM40BTR electronic components. RBR3LAM40BTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RBR3LAM40BTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RBR3LAM40BTR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RBR3LAM40BTR
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDTM
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 40V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 620mV @ 3A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 80µA @ 40V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SOD-128
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PMDTM
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • BYM07-100-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt