მწარმოებელი :
GeneSiC Semiconductor
აღწერა :
BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL
დიოდის ტიპი :
Single Phase
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) :
400V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
4A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 4A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 400V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
4-SIP, GBL
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
GBL