Infineon Technologies - IRF7749L1TRPBF

KEY Part #: K6417883

IRF7749L1TRPBF ფასები (აშშ დოლარი) [44701ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.93323
  • 4,000 pcs$0.92859

Ნაწილი ნომერი:
IRF7749L1TRPBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETL8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRF7749L1TRPBF electronic components. IRF7749L1TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7749L1TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7749L1TRPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRF7749L1TRPBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETL8
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 33A (Ta), 200A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 mOhm @ 120A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 12320pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.3W (Ta), 125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DIRECTFET L8
პაკეტი / საქმე : DirectFET™ Isometric L8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.