ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400C-3DBL

KEY Part #: K939432

IS43DR86400C-3DBL ფასები (აშშ დოლარი) [25136ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.18108
  • 242 pcs$2.17023

Ნაწილი ნომერი:
IS43DR86400C-3DBL
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი + გადართვა, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აუდიო, ჩაშენებული - PLD (პროგრამირებადი ლოგიკური მოწყობილ, PMIC - ენერგიის გაზომვა, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - სპეციალური დანიშნულებ, ხაზოვანი - ვიდეო დამუშავება, PMIC - განათების, ბალასტის კონტროლერები and ლოგიკა - პარიტეტის გენერატორები და ქვები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBL electronic components. IS43DR86400C-3DBL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400C-3DBL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400C-3DBL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43DR86400C-3DBL
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR2
მეხსიერების ზომა : 512Mb (64M x 8)
საათის სიხშირე : 333MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 450ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.9V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-TWBGA (8x10.5)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • CY7C199D-25SXE

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256Kb 25ns 32K x 8 SRAM

  • AS8C401801-QC166N

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 166MHz 256K x 18 Synch SRAM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W966D6HBGX7I

    Winbond Electronics

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 64M pSRAM x16, ADP, 133MHz, Ind temp