Nexperia USA Inc. - PHM10030DLSX

KEY Part #: K6402722

[2605ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    PHM10030DLSX
    მწარმოებელი:
    Nexperia USA Inc.
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Nexperia USA Inc. PHM10030DLSX electronic components. PHM10030DLSX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHM10030DLSX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHM10030DLSX პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : PHM10030DLSX
    მწარმოებელი : Nexperia USA Inc.
    აღწერა : MOSFET N-CH
    სერიები : *
    ნაწილის სტატუსი : Active
    FET ტიპი : -
    ტექნოლოგია : -
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : -
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : -
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
    Vgs (მაქს) : -
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : -
    ოპერაციული ტემპერატურა : -
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : LFPAK33
    პაკეტი / საქმე : SOT-1210, 8-LFPAK33

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • GP1M007A065CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.

    • GP1M003A090C

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK.

    • GP1M003A080CH

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 800V 3A DPAK.

    • GP2M008A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK.