Alliance Memory, Inc. - AS4C256M8D2-25BCN

KEY Part #: K929507

AS4C256M8D2-25BCN ფასები (აშშ დოლარი) [10867ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$4.23764
  • 136 pcs$4.21656

Ნაწილი ნომერი:
AS4C256M8D2-25BCN
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA. DRAM 2Gb, 1.8V, 400Mhz 256M x 8 DDR2
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ხაზოვანი - ვიდეო დამუშავება, PMIC - ელექტრომომარაგების კონტროლერები, მონიტორები, ჩაშენებული - DSP (ციფრული სიგნალის პროცესორები), ლოგიკა - სპეციალობის ლოგიკა, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი რეგულატორის , ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - სპეციალური დანიშნულებ, PMIC - PFC (დენის ფაქტორების კორექტირება) and ჩაშენებული - მიკროკონტროლერი, მიკროპროცესორული, FP ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D2-25BCN electronic components. AS4C256M8D2-25BCN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C256M8D2-25BCN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C256M8D2-25BCN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C256M8D2-25BCN
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR2
მეხსიერების ზომა : 2Gb (256M x 8)
საათის სიხშირე : 400MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 57.5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.9V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 95°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-FBGA (8x10)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FT93C46A-ITR-T

    Fremont Micro Devices Ltd

    IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8TSSOP.

  • TH58NYG3S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • M93S56-WMN6T

    STMicroelectronics

    IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SO.

  • M95020-RMB6TG

    STMicroelectronics

    IC EEPROM 2K SPI 20MHZ 8UFDFPN.

  • BR93L66FJ-WE2

    Rohm Semiconductor

    IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOPJ. EEPROM McrWre BUS 3-Wre 4K SOP-J8 EEPROM

  • IDT71V416L15PHI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II.