IDT, Integrated Device Technology Inc - 70T633S15BC8

KEY Part #: K906789

70T633S15BC8 ფასები (აშშ დოლარი) [866ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$59.92574
  • 1,000 pcs$59.62760

Ნაწილი ნომერი:
70T633S15BC8
მწარმოებელი:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Დეტალური აღწერა:
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA. SRAM 512K X 18 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ელექტრომომარაგების კონტროლერები, მონიტორები, მონაცემთა შეძენა - ანალოგური წინა ბოლოს (AFE), ინტერფეისი - CODEC, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის კონტრ, მეხსიერება, ლოგიკა - მრიცხველები, გამყოფი, PMIC - ბატარეის დამტენები and ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აპარატურა, OP Amps, ბ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 70T633S15BC8 electronic components. 70T633S15BC8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 70T633S15BC8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

70T633S15BC8 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 70T633S15BC8
მწარმოებელი : IDT, Integrated Device Technology Inc
აღწერა : IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : SRAM
ტექნოლოგია : SRAM - Dual Port, Asynchronous
მეხსიერების ზომა : 9Mb (512K x 18)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 15ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.4V ~ 2.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 256-LBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 256-CABGA (17x17)
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IS49RL18320-093EBLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory,576M Common I/O,1066Mhz

  • IS49RL36160-093EBLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz

  • DS1265W-100IND+

    Maxim Integrated

    IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 3.3V 8M NV SRAM

  • IS61VF204836B-7.5TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP. SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36, 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS

  • IS61NVP204836B-166TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP. SRAM 72Mb, 7.5ns, 2.5v 2M x 36 Sync SRAM

  • IS64LPS204818B-166TQLA3

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP. SRAM 36M, 3.3V, 166Mhz 1024Kx36 Sync SRAM