Micron Technology Inc. - MT47H256M8EB-25E XIT:C

KEY Part #: K922333

MT47H256M8EB-25E XIT:C ფასები (აშშ დოლარი) [2940ცალი საფონდო]

  • 1,320 pcs$9.35055

Ნაწილი ნომერი:
MT47H256M8EB-25E XIT:C
მწარმოებელი:
Micron Technology Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA. DRAM DDR2 2G 256MX8 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ბატარეის დამტენები, ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, PMIC - ხელმძღვანელები, PMIC - განათების, ბალასტის კონტროლერები, ჩაშენებული - DSP (ციფრული სიგნალის პროცესორები), PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ, ინტერფეისი - მოდემი - IC და მოდულები and ლოგიკა - კარიბჭე და ინვერტორები - მრავალფუნქციური, ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E XIT:C electronic components. MT47H256M8EB-25E XIT:C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT47H256M8EB-25E XIT:C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H256M8EB-25E XIT:C პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MT47H256M8EB-25E XIT:C
მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
აღწერა : IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR2
მეხსიერების ზომა : 2Gb (256M x 8)
საათის სიხშირე : 400MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 400ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.9V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 95°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-FBGA (9x11.5)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ