Microsemi Corporation - JANTXV1N1186R

KEY Part #: K6443585

JANTXV1N1186R ფასები (აშშ დოლარი) [1482ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$39.03873
  • 100 pcs$38.84451

Ნაწილი ნომერი:
JANTXV1N1186R
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - SCRs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N1186R electronic components. JANTXV1N1186R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N1186R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N1186R პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N1186R
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/297
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard, Reverse Polarity
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 35A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.4V @ 110A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Chassis, Stud Mount
პაკეტი / საქმე : DO-203AB, DO-5, Stud
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-5
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • UD0506T-TL-HX

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

  • RD0504T-P-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.

  • VS-8EWF02S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

  • V30100S-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,100V,SINGLE TRENCH SKY RECT.

  • V30120SG-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

  • M3045S-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO220AB.