NXP USA Inc. - BAP51-03,115

KEY Part #: K6465380

BAP51-03,115 ფასები (აშშ დოლარი) [1084682ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03577
  • 3,000 pcs$0.03559
  • 6,000 pcs$0.03362
  • 15,000 pcs$0.03065
  • 30,000 pcs$0.02867
  • 75,000 pcs$0.02630

Ნაწილი ნომერი:
BAP51-03,115
მწარმოებელი:
NXP USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
RF DIODE PIN 50V 500MW SOD323. PIN Diodes PIN GP 50V 50MA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in NXP USA Inc. BAP51-03,115 electronic components. BAP51-03,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAP51-03,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAP51-03,115 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BAP51-03,115
მწარმოებელი : NXP USA Inc.
აღწერა : RF DIODE PIN 50V 500MW SOD323
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : PIN - Single
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 50V
მიმდინარე - მაქს : 50mA
Capacitance @ Vr, F : 0.35pF @ 5V, 1MHz
წინააღმდეგობა @ თუ, ვ : 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 500mW
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 150°C (TJ)
პაკეტი / საქმე : SC-76, SOD-323
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOD-323

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ