ON Semiconductor - FQA38N30

KEY Part #: K6415172

[27604ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    FQA38N30
    მწარმოებელი:
    ON Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in ON Semiconductor FQA38N30 electronic components. FQA38N30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQA38N30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQA38N30 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : FQA38N30
    მწარმოებელი : ON Semiconductor
    აღწერა : MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P
    სერიები : QFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 300V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 38.4A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 19.2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 120nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±30V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4400pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 290W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-3P
    პაკეტი / საქმე : TO-3P-3, SC-65-3

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • ZVP4105A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

    • ZVP2120A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

    • ZVN0540A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

    • IRFIZ48G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

    • IRFI840G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

    • PMN23UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.