BAS116TT1G ფასები (აშშ დოლარი) [1922330ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.01987
- 3,000 pcs$0.01977
- 6,000 pcs$0.01719
- 15,000 pcs$0.01461
- 30,000 pcs$0.01376
- 75,000 pcs$0.01289
- 150,000 pcs$0.01146
- Ნაწილი ნომერი:
- BAS116TT1G
- მწარმოებელი:
- ON Semiconductor
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 75V 200MA SC75. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SC75 SWCH DIO 75V TR
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in ON Semiconductor BAS116TT1G electronic components. BAS116TT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS116TT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS116TT1G პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
BAS116TT1G
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
DIODE GEN PURP 75V 200MA SC75
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
75V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
200mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.25V @ 150mA
სიჩქარე :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
3µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5nA @ 75V
Capacitance @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
SC-75, SOT-416
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SC-75, SOT-416
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
BAS16-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
ცხელი ნაწილები
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18
选择你的位置