Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA16TB120SR-M3

KEY Part #: K6434276

VS-HFA16TB120SR-M3 ფასები (აშშ დოლარი) [51602ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.75772

Ნაწილი ნომერი:
VS-HFA16TB120SR-M3
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1200V 16A IF TO-220AC 190A IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დენის მართვის მოდული and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA16TB120SR-M3 electronic components. VS-HFA16TB120SR-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA16TB120SR-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA16TB120SR-M3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VS-HFA16TB120SR-M3
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK
სერიები : HEXFRED®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 16A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 3.93V @ 32A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 135ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 20µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263AB (D²PAK)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-HFA08SD60SL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWS16STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-HFA08SD60SR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWF04STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS12STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWF10STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3