Infineon Technologies - D3501N40TXPSA1

KEY Part #: K6439554

D3501N40TXPSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [69ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$513.59088

Ნაწილი ნომერი:
D3501N40TXPSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 4KV 4870A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies D3501N40TXPSA1 electronic components. D3501N40TXPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for D3501N40TXPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

D3501N40TXPSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : D3501N40TXPSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : DIODE GEN PURP 4KV 4870A
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 4000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 4870A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.27V @ 4000A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100mA @ 4000V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : DO-200AE
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 160°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DLA10IM800UC

    IXYS

    DIODE GEN PURP 800V 10A TO252. Rectifiers 10 Amps 800V

  • RS07B-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GP 100V 500MA DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 150ns

  • ES07D-GS08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.2A DO219AB. Rectifiers 200 Volt 0.7 Amp

  • ES07D-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO219. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M

  • S1FLK-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO219AB. Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3M

  • RS07B-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GP 100V 500MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M