MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR ფასები (აშშ დოლარი) [17173ცალი საფონდო]
- 1 pcs$2.69811
- 1,000 pcs$2.68469
- Ნაწილი ნომერი:
- MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR
- მწარმოებელი:
- Micron Technology Inc.
- Დეტალური აღწერა:
- IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 4G 512MX8 FBGA
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ლოგიკა - მულტივიბრატორი, ჩაშენებული - DSP (ციფრული სიგნალის პროცესორები), საათი / დრო - საათის ბუფერები, მძღოლები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის კონტრ, ჩაშენებული - CPLDs (რთული პროგრამირებადი ლოგიკური , ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, ჩაშენებული - PLD (პროგრამირებადი ლოგიკური მოწყობილ and ინტერფეისი - შიფრატორები, დეკოდიერები, გადამყვანი ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR electronic components. MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR
მწარმოებელი :
Micron Technology Inc.
აღწერა :
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
მეხსიერების ტიპი :
Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი :
FLASH
ტექნოლოგია :
FLASH - NAND
მეხსიერების ზომა :
4Gb (512M x 8)
საათის სიხშირე :
-
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი :
-
წვდომის დრო :
-
მეხსიერების ინტერფეისი :
Parallel
ძაბვა - მიწოდება :
1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
63-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
63-VFBGA (9x11)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
-
71V25761S183PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline
-
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
ცხელი ნაწილები
- AT49BV163D-70TU-T
- MT48LC4M16A2TG-6 IT:G
- MT46V32M16FN-5B:F
- MT46V256M4P-6T:A
- AT49BV002ANT-70PI
- CY7C128A-15PC
- AT27C512R-90RI
- AT24C04N-10SI
- MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C
- 25AA640A-I/S16K
- S99GL01GP11TFIR10
- MT53B768M32D4NQ-053 WT:B
- IS42SM32400G-75BLI-TR
- LE25FW056CS-TRM-E
- AT28HC64BF-70SU
- MT42L256M64D4LM-25 WT:A
- MT41DCHA-V80A:E
- MT29C4G96MAZBACKD-5 WT
- CY7C1380C-167AC
- AT28C64E-12TI
- W25Q32FVSSIG
- S25FL064P0XNFI001
- AT25DF041A-MHF-Y
- MT45W1MW16BDGB-701 IT
- MT41K512M4HX-187E:D
- CY7C1360S-166BZC
- CAT28F010HI12
- IDT71V35761S200PF8
- IDT71256SA12PZ8
- W631GG6KB12I TR
- S70FL01GSAGBHIC13
- 70V05L20J8
- 7038L15PF8
- S34ML02G104BHA010
- CY7C1263V18-375BZXC
- MT29F8G08AAAWP:A TR
- CY14B101K-SP35XCT
- IS42S16160B-6T
- CY7C1399BL-12ZXCT
- S25FL128SDPMFIG03
选择你的位置