Micron Technology Inc. - MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR

KEY Part #: K937532

MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR ფასები (აშშ დოლარი) [17173ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.69811
  • 1,000 pcs$2.68469

Ნაწილი ნომერი:
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR
მწარმოებელი:
Micron Technology Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 4G 512MX8 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - სიგნალის ბუფერები, გამეორება, გაყოფა, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს, ინტერფეისი - სპეციალიზირებული, მეხსიერება, ლოგიკა - კარიბჭე და ინვერტორები - მრავალფუნქციური,, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, PMIC - ბატარეის დამტენები and PMIC - ლაზერული დრაივერი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR electronic components. MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR
მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
აღწერა : IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NAND
მეხსიერების ზომა : 4Gb (512M x 8)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 63-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 63-VFBGA (9x11)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • MB85RS1MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor