Nexperia USA Inc. - BUK9Y8R5-80EX

KEY Part #: K6419861

BUK9Y8R5-80EX ფასები (აშშ დოლარი) [139124ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.26586
  • 1,500 pcs$0.24426

Ნაწილი ნომერი:
BUK9Y8R5-80EX
მწარმოებელი:
Nexperia USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - მასივები and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Nexperia USA Inc. BUK9Y8R5-80EX electronic components. BUK9Y8R5-80EX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK9Y8R5-80EX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUK9Y8R5-80EX პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BUK9Y8R5-80EX
მწარმოებელი : Nexperia USA Inc.
აღწერა : MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 54.7nC @ 5V
Vgs (მაქს) : ±10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 8167pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 238W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : LFPAK56, Power-SO8
პაკეტი / საქმე : SC-100, SOT-669

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ