Toshiba Semiconductor and Storage - 1SV239TPH3F

KEY Part #: K6462598

1SV239TPH3F ფასები (აშშ დოლარი) [887720ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04397
  • 3,000 pcs$0.04375
  • 6,000 pcs$0.04132
  • 15,000 pcs$0.03768
  • 30,000 pcs$0.03524

Ნაწილი ნომერი:
1SV239TPH3F
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
DIODE VARACTOR 15V USC. Varactor Diodes 15V C1=3.8-4.7pF
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 1SV239TPH3F electronic components. 1SV239TPH3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1SV239TPH3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1SV239TPH3F პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1SV239TPH3F
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : DIODE VARACTOR 15V USC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
Capacitance @ Vr, F : 2pF @ 10V, 1MHz
სიმძლავრის თანაფარდობა : 2.4
სიმძლავრის თანაფარდობის მდგომარეობა : C2/C10
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 15V
დიოდის ტიპი : Single
Q @ Vr, F : -
ოპერაციული ტემპერატურა : 125°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SC-76, SOD-323
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : USC

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ