Ნაწილი ნომერი :
GA01PNS80-220
მწარმოებელი :
GeneSiC Semiconductor
აღწერა :
RF DIODE PIN 8000V
დიოდის ტიპი :
PIN - Single
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) :
8000V
Capacitance @ Vr, F :
4pF @ 1000V, 1MHz
წინააღმდეგობა @ თუ, ვ :
-
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
-
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
-