R1LP0408DSB-5SI#B1 ფასები (აშშ დოლარი) [16879ცალი საფონდო]
- 1 pcs$2.71471
- Ნაწილი ნომერი:
- R1LP0408DSB-5SI#B1
- მწარმოებელი:
- Renesas Electronics America
- Დეტალური აღწერა:
- IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II. SRAM SRAM 4MB ADV. 5V TSOP32 55NS -40TO85C
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - AC DC გადამყვანი, ოფლაინ გადამრთველები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი, PMIC - ენერგიის გაზომვა, ინტერფეისი - ტელეკომი, მონაცემთა შეძენა - ციფრული გადამყვანების ანალოგები, PMIC - ენერგეტიკის მენეჯმენტი - სპეციალიზირებული, PMIC - ცხელი სვოპ კონტროლერები and PMIC - დრაივერების ჩვენება ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Renesas Electronics America R1LP0408DSB-5SI#B1 electronic components. R1LP0408DSB-5SI#B1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R1LP0408DSB-5SI#B1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
R1LP0408DSB-5SI#B1 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
R1LP0408DSB-5SI#B1
მწარმოებელი :
Renesas Electronics America
აღწერა :
IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
მეხსიერების ტიპი :
Volatile
მეხსიერების ფორმატი :
SRAM
ტექნოლოგია :
SRAM
მეხსიერების ზომა :
4Mb (512K x 8)
საათის სიხშირე :
-
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი :
55ns
წვდომის დრო :
55ns
მეხსიერების ინტერფეისი :
Parallel
ძაბვა - მიწოდება :
4.5V ~ 5.5V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
32-TSOP II
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
71321SA55JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT
-
ცხელი ნაწილები
- CY7C1021B-12VXIT
- CY7C1020B-12ZXCT
- AT88SC0404C-SU
- CY7C199C-15VC
- AT49LV002N-12TI
- AT28LV64B-25TC
- AT27C010L-12TC
- 93AA76CT-I/MS15KVAO
- 71V30VL90TF8
- 93LC46B/W
- EDF620AAABH-GD-F-D
- MT35XU02GCBA2G12-0SIT TR
- MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR
- W631GG8KB12I
- W631GG6KB12I
- MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A
- CAT24C04WI-GT3JN
- IS42RM32400G-75BLI-TR
- MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR
- S34ML04G100BHI000
- MT41K512M8RH-125 M:E
- MT41K1G8TRF-125:E TR
- SST38VF6401B-70-5I-EKE
- CY7C1565XV18-600BZXC
- CY7C1313KV18-250BZI
- N25Q128A13TSF40F TR
- CAT28C16AW-12T
- IDT71V25761YSA166BQ
- IDT71T75902S75BGGI
- 70V9079L6PF
- AT25160BN-SH-B
- IS42S16800E-75ETL
- CY7C1470V33-167BZXI
- M27C2001-70XF1
- MTFC16GKQDQ-IT
- MT29F16G08ADBCAH4-IT:C
- IS61LPS51236A-250B3
- S501LEF0S0PNFV000
- S29CD016J1JQFM010
- S25FL128SAGBHVC00
选择你的位置