Microsemi Corporation - MSFC110-08

KEY Part #: K6536826

[13907ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    MSFC110-08
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    MOD THYRISTOR DIO DBLR 110A SF1.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation MSFC110-08 electronic components. MSFC110-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSFC110-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MSFC110-08 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : MSFC110-08
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : MOD THYRISTOR DIO DBLR 110A SF1
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    სტრუქტურა : Series Connection - All SCRs
    SCR– ების რაოდენობა, დიოდები : 1 SCR, 1 Diode
    ძაბვა - გამორთული სახელმწიფო : 800V
    მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური) : 110A
    მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური) : -
    ვოლტაჟი - Gate Trigger (Vgt) (Max) : 3V
    მიმდინარე - Gate Trigger (Igt) (მაქსიმალური) : 150mA
    ამჟამინდელი - 50 – დან 60 ჰერცირზე მეტი სიჩქარე (მისი სიჩქარე) : 2250A @ 50Hz
    მიმდინარე - გამართავს (Ih) (მაქსიმალური) : 250mA
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : Module

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • MSTC160-16

      Microsemi Corporation

      POWER MOD THYRISTOR/DIODE T2.

    • MSTC110-16

      Microsemi Corporation

      POWER MOD THYRISTOR/DIODE T1.

    • MSFC160-16

      Microsemi Corporation

      POWER MOD THYRISTOR/DIODE F2.

    • MSFC110-16

      Microsemi Corporation

      POWER MOD THYRISTOR/DIODE F1.

    • MSDT150-16

      Microsemi Corporation

      POWER MOD BRIDGE THY 3PH M5.

    • MSDT100-16

      Microsemi Corporation

      PWR MOD THYRISTOR 1600V 100V SM4.